图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HGT1S3N60B3DS
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S3N60B3DS由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S3N60B3DS价格参考。HarrisHGT1S3N60B3DS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGT1S3N60B3DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S3N60B3DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S3N60B3DS是Harris Corp.（现已被L3 Technologies收购，相关产品线后由IXYS、现属Littelfuse）推出的一款高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-220AB封装，额定电压600V，典型导通电阻低，具备快速开关特性与优异的dv/dt耐受能力。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源及工业电源中的PFC（功率因数校正）升压电路和主功率变换级； 2. LED照明驱动：适用于高效率、高可靠性离线式LED恒流驱动器，尤其适合10–100W中高功率方案； 3. 电机控制：用于小型变频器、风扇/泵类单相BLDC或有刷电机驱动中的高频PWM开关； 4. 家电与工业控制：如电磁炉、微波炉的谐振逆变电路，以及PLC输出模块、固态继电器等需高压高速开关的场合。 该器件强调高雪崩耐量、低栅极电荷（Qg）与良好体二极管反向恢复特性，适合硬开关与部分软开关拓扑。注意：型号后缀“DS”通常表示带优化体二极管（Diode-Specified），适用于续流要求较高的应用。实际设计中需配合合理驱动与散热，以发挥其高频高效优势。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
HGT1S3N60B3DS 相关产品
.jpg)
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商