【未分类_HGT1S15N120C3】封装/厂家_HGT1S15N120C3中文资料_价格

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型号： HGT1S15N120C3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S15N120C3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S15N120C3价格参考。HarrisHGT1S15N120C3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S15N120C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S15N120C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S15N120C3 是由安森美（onsemi）推出的高压、高速IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”类别（注：虽常被归类为IGBT，但其结构融合了MOSFET输入与双极型输出特性，严格属IGBT而非纯MOSFET）。该器件额定电压1200 V，连续集电极电流15 A（Tc=25°C），采用TO-247封装，具备低导通损耗、快速开关（典型t_f < 100 ns）、软关断特性及内置反并联二极管，适用于高效率、高可靠性中高压功率转换场景。

典型应用场景包括：  
• 工业变频驱动（如伺服驱动器、PLC控制电机调速系统）；  
• 不间断电源（UPS）主逆变桥臂，尤其适用于在线式三相UPS的DC-AC变换级；  
• 太阳能光伏逆变器中的升压级（Boost）或单相/三相逆变级（需搭配合适驱动与散热设计）；  
• 感应加热设备（如电磁炉、工业热处理电源）的高频谐振逆变电路；  
• 高压直流电源（如激光电源、X光发生器）的斩波与逆变模块。  

其1200 V耐压和优化的开关性能，使其在400–800 V母线电压系统中兼顾安全裕量与效率，特别适合对EMI敏感、需软开关特性的中功率（1–5 kW级）应用。使用时需注意门极驱动电压（推荐±15 V）、结温控制（最大Tj=175°C）及PCB布局以抑制电压尖峰。

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