【未分类_HGT1S12N60B3DS】封装/厂家_HGT1S12N60B3DS中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGT1S12N60B3DS
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60B3DS由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60B3DS价格参考。HarrisHGT1S12N60B3DS封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S12N60B3DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60B3DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S12N60B3DS 是由安森美（onsemi）推出的高压超结MOSFET（非IGBT），采用TO-247封装，额定电压600 V，连续漏极电流12 A，典型导通电阻Rds(on)约0.45 Ω（Vgs=10 V），具备快速开关、低开关损耗和强雪崩耐受能力等特点。

其典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、LED驱动电源中的PFC（功率因数校正）电路及主功率开关级；  
- 工业电机驱动与变频控制：用于中小功率（<2 kW）变频器、伺服驱动器的逆变桥上管或下管；  
- 新能源领域：光伏微型逆变器、储能系统DC-DC变换器中的高频高压开关环节；  
- 家电与白色家电：空调压缩机驱动、电磁炉、变频洗衣机主控模块等需高效率、高可靠性的中功率开关场合；  
- UPS不间断电源：在线式UPS的逆变输出级或旁路开关，兼顾效率与热稳定性。

该器件内置ESD保护和优化体二极管（反向恢复特性优异），适合硬开关及部分软开关拓扑（如准谐振QR）。注意：实际设计中需配合合理驱动（≥10 V栅压）、PCB布局（低杂散电感）及散热设计（推荐加装散热器），以充分发挥其高频高效优势。  

（注：型号中“HGT”系列属onsemi高压SuperFET™ III MOSFET，“B3DS”后缀表示带增强型体二极管与动态dV/dt鲁棒性，非IGBT——用户描述中“UBGT”应为笔误。）

产品参数图文手册常见问题