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- 型号： HAT2173NWS-E
- 制造商： RNS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2173NWS-E由RNS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2173NWS-E价格参考。RNSHAT2173NWS-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2173NWS-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2173NWS-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HAT2173NWS-E 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的双通道N沟道功率MOSFET阵列，采用超小型WSON-8封装（2.0×2.0 mm），具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 14.5 mΩ @ VGS=4.5V）、快速开关特性及高可靠性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或DC-DC转换器的同步整流驱动； - LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的区域调光（Local Dimming）或RGB LED恒流驱动中的高速开关控制； - 电机驱动模块：适用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）或步进电机的H桥驱动中作为半桥开关元件； - 工业与IoT终端：在空间受限的传感器节点、PLC模块或无线网关中实现高效、低功耗的电源通断控制与信号切换； - USB PD与快充协议芯片配套电路：作为VBUS路径开关，支持动态电压/电流切换与过流保护。 该器件集成双MOSFET共源结构，支持独立栅极控制，内置ESD保护（HBM ±2000V），工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），适合高密度、低功耗、高可靠性要求的嵌入式系统。需注意其最大漏源电压为30V，不适用于高压场景。
产品参数
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