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- 型号： GVT71256D36T-5
- 制造商： GAL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供GVT71256D36T-5由GAL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GVT71256D36T-5价格参考。GALGVT71256D36T-5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载GVT71256D36T-5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有GVT71256D36T-5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GVT71256D36T-5 是一款由韩国厂商GSI（Global Silicon Inc.，后被ISSI收购）推出的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具体为256K×36位（即9Mb）同步Burst SRAM，工作电压3.3V，访问时间5ns，支持流水线式突发读写操作。 该器件典型应用于对低延迟、高带宽和确定性时序要求严苛的嵌入式与通信系统中，主要包括： - 网络设备：如高端路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO队列、查找表（LUT）缓存及QoS调度缓存； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、ATM/POS交换芯片的暂存缓冲； - 工业控制与实时系统：PLC、运动控制器中需纳秒级响应的数据暂存与双端口共享内存场景； - 测试测量设备：逻辑分析仪、高速示波器的深度采集缓存； - 军事/航空电子：抗辐射加固版本（如有）用于雷达信号处理、飞行控制系统的高速中间寄存。 需注意：该型号已停产多年，属Legacy SRAM，当前多被DDR/LPDDR或新型QDR/RLDRAM替代，实际应用中常见于仍在维护的旧款设备升级或备件替换场景。设计选型时建议评估兼容替代料（如ISSI IS61WV25636BLL等）及长期供货风险。
产品参数
图文手册
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