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  • 型号: GBU4G
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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GBU4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供GBU4G由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 GBU4G价格参考¥4.83-¥5.75。Fairchild SemiconductorGBU4G封装/规格:二极管 - 桥式整流器, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400V Through Hole GBU。您可以下载GBU4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有GBU4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的GBU4G是一款常用的桥式整流器模块,广泛应用于各种电源转换和电力电子设备中。其主要功能是将交流电(AC)转换为直流电(DC),适用于需要中等功率整流的场合。

典型应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):用于各类电子产品如电源适配器、充电器、计算机电源等,作为输入端的整流元件。

2. 工业控制设备:在工业自动化系统中,用于供电模块或驱动电路中的整流部分。

3. 家电产品:如微波炉、洗衣机、空调等家用电器中的电源整流部分。

4. LED照明电源:用于LED路灯或大功率LED灯具的驱动电源中,提供稳定直流输入。

5. 电机驱动器:在变频器或电机控制器中用于整流输入交流电压。

6. 电池充电器:用于电动车、UPS不间断电源或其他充电设备中,进行交流转直流的初级转换。

GBU4G具有较高的浪涌电流承受能力和良好的热稳定性,适合在较为恶劣的电气环境中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

RECT BRIDGE GPP 4A 400V GBU桥式整流器 4A Bridge Rectifier

产品分类

桥式整流器分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,桥式整流器,Fairchild Semiconductor GBU4G-

数据手册

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产品型号

GBU4G

PCN封装

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二极管类型

单相

产品

Single Phase Bridge

产品种类

桥式整流器

供应商器件封装

GBU

其它名称

GBU4G-ND
GBU4GFS

功率耗散

8 W

包装

管件

单位重量

5.400 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

宽度

3.56 mm

封装

Tube

封装/外壳

4-SIP,GBU

封装/箱体

GBU-4

峰值反向电压

400 V

工厂包装数量

20

最大RMS反向电压

280 V

最大反向漏泄电流

5 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

150 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

20

正向电压下降

1 V

正向连续电流

4 A

电压-峰值反向(最大值)

400V

电流-DC正向(If)

4A

系列

GBU4G

长度

22.3 mm

高度

18.8 mm

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GBU4A thru GBU4G Single Phase Glass Passivated V = 50 V - 400 V RRM Silicon Bridge Rectifier I = 4 A O Features • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 • High case dielectric strength of 1500 V RMS • Glass passivated chip junction • Ideal for printed circuit boards GBU Package • High surge overload rating • High temperature soldering guaranteed: 260⁰C/ 10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length • Not ESD Sensitive Mechanical Data Case: Molded plastic body over passivated junctions Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750 Method 2026. Mounting position: Any Maximum ratings at Tc= 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G Unit Repetitive peak reverse voltage V 50 100 200 400 V RRM RMS reverse voltage V 35 70 140 280 V RMS DC blocking voltage V 50 100 200 400 V DC Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load For capacitive load derate current by 20% Parameter Symbol Conditions GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G Unit Maximum average forward rectified I T = 100 °C 4.0 4.0 4.0 4.0 A current 1,2 O c Peak forward surge current I t = 8.3 ms, half sine 150 150 150 150 A FSM p Maximum instantaneous forward V I = 4 A 1.1 1.1 1.1 1.1 V voltage drop per leg F F Maximum DC reverse current at I Ta = 25 °C 5 5 5 5 μA rated DC blocking voltage per leg R T = 125 °C 500 500 500 500 a Rating for fusing I2t t < 8.3 ms 93 93 93 93 A2sec Typical junction capacitance per C 100 100 100 100 pF leg 3 j R 22 22 22 22 Typical thermal resistance per leg 1,2 ΘJA R 4.2 4.2 4.2 4.2 °C/W ΘJL 1 - Device mounted on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm Al plate heatsink 2 - Recommended mounted position is to bolt down device on a heatsink with silicon thermal compond for maximum heat transfer using #6 screw. 3 - Measured at 1.0 MHz and applied reverse bias of 4.0 V 1 Apr 2016 Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/

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