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  • 型号: FZT658TC
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FZT658TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT658TC价格参考。Diodes Inc.FZT658TC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT658TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT658TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FZT658TC是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它通常用于中功率开关和放大电路中。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要一定功率控制能力的电子电路。

典型应用场景包括:

1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、稳压电源中,作为开关元件使用,控制电流的通断。
2. 马达驱动电路:用于小型电机的控制,实现电机的启停或转速调节。
3. 继电器驱动:在需要控制高电压或大电流负载的场合,作为继电器的驱动开关。
4. 音频放大器:在低频功率放大电路中,用于信号放大。
5. 工业控制设备:如PLC、工业自动化设备中的开关控制。
6. 消费类电子产品:如家电中的控制电路,用于控制风扇、加热元件等。

FZT658TC采用SOT-223封装,便于散热,适合在中功率应用中使用。其优异的可靠性和性价比,使其广泛应用于工业、消费电子及通信设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN HI VOLT SOT223

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

FZT658TC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 200mA,10V

供应商器件封装

SOT-223

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

晶体管类型

NPN

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

400V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

50MHz

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