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  • 型号: FZT1147ATC
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FZT1147ATC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT1147ATC价格参考。Diodes Inc.FZT1147ATC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT1147ATC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT1147ATC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FZT1147ATC 是 Diodes Incorporated 推出的 NPN 型高电压、中功率双极结型晶体管(BJT),主要面向工业与电源管理应用。其典型参数包括:VCEO = 60 V,IC = 3 A,PD ≈ 2.5 W(TO-252 DPAK 封装),具备良好的开关特性和饱和压降(VCE(sat) @ IC=2A, IB=0.2A 典型值约 0.25 V),并内置基极-发射极反向二极管(B-E shunt diode),可提升抗负压瞬态能力。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC 转换器中的开关管(如升压/降压拓扑的主开关或同步整流辅助开关);  
✅ 电机驱动电路(如小型直流有刷电机的H桥侧开关或PWM调速控制);  
✅ LED 恒流驱动与背光控制(配合电流检测电阻实现线性或开关式恒流源);  
✅ 电源保护与接口电路(如过流检测后的关断开关、热插拔控制器中的负载开关);  
✅ 工业控制板中的继电器/电磁阀驱动(替代达林顿管,提供更高效率和更快响应)。

该器件采用无铅、符合 RoHS 的 TO-252(DPAK)表面贴装封装,散热性能优于SOT-23,适合中等功率密度设计。其内置B-E二极管有助于抑制感性负载关断时的反向电动势,减少外围保护元件数量,简化PCB布局。适用于工作温度范围 -55°C 至 +150°C 的严苛环境,常见于通信电源、工控模块、汽车电子(非安全关键系统)及消费类电源适配器中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP HI GAIN SOT223

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

FZT1147ATC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 50mA,5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 500mA,2V

供应商器件封装

SOT-223

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

晶体管类型

PNP

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

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