Datasheet下载- 型号： FW811-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW811-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW811-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW811-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW811-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW811-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW811-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET阵列，采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约25 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及优良的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的高边/低边开关，提升效率（尤其在便携设备如智能手机、平板电脑的PMIC模块中）； - 负载开关与电源管理：用于USB端口保护、电池充放电路径控制、系统级电源域隔离等，支持快速启停与低静态电流； - 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵）的H桥或半桥驱动，双MOSFET结构便于紧凑设计； - LED背光与照明驱动：作为PWM调光开关，实现高效、低噪声亮度控制； - 工业与消费类电子接口电路：如I/O扩展、热插拔保护、ESD敏感信号线的缓冲开关。 该器件集成度高、尺寸小（TSOP-6），适合空间受限的高密度PCB布局，且符合AEC-Q101可靠性标准（部分批次），亦可用于车规级辅助系统（如座舱电子）。需注意其最大Vds为30V，推荐工作电压≤24V，适用于中低压、中功率（连续ID约6A）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 35V 8A DUAL 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW811-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 35V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
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