Datasheet下载- 型号： FW707-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FW707-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FW707-TL-E价格参考。ON SemiconductorFW707-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FW707-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FW707-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FW707-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及紧凑尺寸等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，用于高效控制外设供电通断，降低静态功耗； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流MOSFET，提升转换效率（尤其在1–5A中等电流范围）； 3. LED背光/照明驱动：用于多路LED电流控制或PWM调光开关，双通道设计便于独立驱动两组LED串； 4. 电机驱动（小型）：适用于微型振动马达、风扇或摄像头OIS音圈电机的H桥或半桥驱动（需搭配外部驱动逻辑）； 5. 接口保护与热插拔电路：在USB、I²C、SMBus等信号线上实现过流/短路保护和浪涌抑制。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动，具备ESD防护（HBM ≥2kV）及内置体二极管，适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率嵌入式系统。注意其最大Vds为30V，连续漏极电流ID≤4.5A（Ta=25°C），设计时需兼顾散热与PCB布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8SOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FW707-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
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