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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FR6M05由GENESIC SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FR6M05价格参考。GENESIC SEMIFR6M05封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FR6M05参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FR6M05 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FR6M05 是 GeneSiC Semiconductor 推出的一款碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),虽命名含“FR”(常用于快恢复二极管),但实际为650 V/6 A的SiC肖特基二极管(非传统硅快恢复)。其核心优势在于零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)、超快开关速度、低正向压降(典型VF ≈ 1.5 V @ 6 A)及高温稳定工作(Tj ≤ 175 °C)。 主要应用场景包括: 1. 高频开关电源(AC/DC、DC/DC):作为PFC升压级输出整流或LLC谐振变换器次级同步整流替代器件,显著降低开关损耗与EMI,提升效率(尤其在>100 kHz高频下); 2. 光伏逆变器与储能系统:用于组串式逆变器直流侧旁路二极管或MPPT级整流,耐受高PV电压与户外高温,提升系统可靠性和发电效率; 3. 服务器/通信电源(如48 V输入砖块电源):满足高功率密度、高效率(80 PLUS Titanium)要求,减少散热设计负担; 4. 工业电机驱动与UPS:在整流/续流回路中替代硅二极管,降低损耗并支持更高开关频率,缩小磁性元件体积。 需注意:FR6M05为单极性SiC SBD,无反向恢复问题,但反向漏电流略高于硅器件(仍远低于传统SiC JBS),适用于对效率、热管理与高频性能敏感的中高功率(~1–5 kW)场景。不适用于需高反向阻断能力(如>1200 V)或极端低漏电要求的场合。