【未分类_FQPF90N10V2】封装/厂家_FQPF90N10V2中文资料_价格

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型号： FQPF90N10V2
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF90N10V2由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF90N10V2价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF90N10V2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQPF90N10V2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF90N10V2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF90N10V2 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或类似通孔封装，具有100V耐压、90A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅11mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换：广泛用于中大功率开关电源（如PC ATX主电源、工业电源）的同步整流或主开关管；  
✅ 电机驱动：适用于12V/24V/48V直流无刷电机（BLDC）控制器、电动工具、风扇及泵类驱动中的H桥下管或单向驱动开关；  
✅ 逆变与UPS系统：在中小功率离网逆变器、不间断电源（UPS）中用作输出级功率开关；  
✅ LED照明驱动：用于高亮度LED恒流驱动电路中的PWM调光开关或降压（Buck）主开关；  
✅ 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充放电控制开关（需配合驱动与保护IC使用）。

该器件具备良好的热稳定性与雪崩耐量（UIS rated），适合中频（≤100kHz）硬开关应用。需注意：实际使用中应确保栅极驱动电压≥10V以充分导通，并配备合理散热（如加装散热片），避免因温升导致Rds(on)上升或热失效。不推荐用于高频谐振拓扑（如LLC）或对dv/dt敏感的噪声敏感环境，此时可考虑更优化的超结MOSFET替代方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQPF90N10V2
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6150pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	191nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10 毫欧 @ 45A，10V
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	83W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	90A （Tc）