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- 型号： FQPF1N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF1N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF1N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF1N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF1N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF1N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF1N50 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装，主要参数为：VDSS = 500 V，ID = 1.0 A（连续），RDS(on) 典型值约12 Ω（VGS = 10 V），具备内置快速恢复体二极管。 该器件适用于中低电流、高电压开关场景，典型应用包括： ✅ 小功率开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动电源）中的初级侧开关； ✅ 离线式反激（Flyback）转换器中作为主开关管（适用于≤10 W小功率设计）； ✅ 电瓶车/充电器中的过压/过流保护电路； ✅ 工业控制中的继电器替代、电磁阀/小型电机驱动（需配合驱动与保护电路）； ✅ LED照明恒压/恒流驱动的高压侧开关； ✅ 各类家电（如微波炉、空气净化器）中的辅助电源或待机电源模块。 其优势在于高耐压、成本低、驱动简单（标准逻辑电平兼容），但因导通电阻较大、电流能力有限，不适用于大功率、高频（>100 kHz）或高效率要求场合。设计时需注意散热（TO-220F需加散热片）、栅极驱动稳定性（避免振荡）及SOA（安全工作区）限制，尤其在感性负载开关时应加强VDS尖峰抑制。 综上，FQPF1N50定位为经济型通用高压MOSFET，适用于对成本敏感、功率≤10 W、开关频率适中（20–60 kHz）的入门级电源与控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 900MA TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF1N50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 450mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 16W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA （Tc） |
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