Datasheet下载- 型号： FQPF17P10
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF17P10由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF17P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF17P10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF17P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF17P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF17P10 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（全绝缘封装）或FQP/FQPF系列常见通孔封装，额定参数为：VDS = −100 V，ID = −17 A（TC = 25°C），RDS(on) 典型值约0.22 Ω（VGS = −10 V）。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于反激式、正激式或同步Buck转换器的次级侧开关或高压侧开关（配合驱动电路），尤其适用于12–48 V输入的工业电源与适配器。 2. 电机控制：适用于中小功率有刷直流电机的H桥驱动中的上桥臂（P-MOSFET可简化栅极驱动设计），如电动工具、风扇、小型自动化设备。 3. 负载开关与电源管理：作为板级电源的热插拔保护、电池供电系统的反向电流阻断（如便携设备中防止电池倒灌）、电源轨的使能/切断开关。 4. 照明驱动：用于LED恒流驱动电路中的调光开关或过压保护路径，尤其在100 V耐压要求的AC/DC离线LED驱动中。 5. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中替代机械继电器，实现快速、无噪声、长寿命的开关控制。 该器件具备雪崩能量额定值（EAS），具备一定鲁棒性；但需注意其为P沟道结构，在高边开关应用中栅极驱动电压需低于源极（通常需电平移位或自举辅助），设计时应合理选配驱动电路并做好散热（建议加装散热器）。不推荐用于高频（>100 kHz）开关场景，因其开关速度和Qg相对中等。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF17P10 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 5.25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Tc） |
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