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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP1N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP1N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQP1N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP1N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP1N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP1N60 是一款由 ON Semiconductor(原 Fairchild)生产的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,额定电压 600V,连续漏极电流约 1.3A(Tc=25°C),采用 TO-220 封装。其典型应用场景包括: 1. 小功率开关电源(SMPS):常用于反激式(Flyback)或准谐振(QR)AC-DC适配器、充电器(如手机/小家电电源)、LED驱动电源等,作为主开关管,利用其高耐压和较低导通电阻(Rds(on) ≈ 11Ω)实现高效能量转换。 2. 离线式DC-DC转换器:适用于输入为整流后高压直流(如85–265V AC整流后约120–375V DC)的场合,驱动负载功率通常在5–15W范围内。 3. 电机控制与驱动:可用于小型直流无刷电机(BLDC)的相位开关、继电器/电磁阀驱动电路,或低频PWM调速模块(需注意其开关速度中等,fSW一般≤100kHz)。 4. 电子镇流器与LED恒流驱动:在简易隔离型LED驱动方案中用作高频开关,配合变压器或电感实现恒流输出。 5. 工业控制与家电辅助电源:如空调、洗衣机控制板中的待机电源(+5V/+12V辅助供电)、过压/过流保护电路中的功率开关元件。 注意事项:该器件属单管分立MOSFET,不集成驱动或保护功能,设计时需合理配置栅极驱动电阻、RC吸收网络及散热措施;因Rds(on)相对较高,不适用于大电流或高效率要求严苛的应用(如>20W主流电源)。建议工作结温不超过150°C,并留足安全裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FQP1N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.5 欧姆 @ 600mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Tc) |