Datasheet下载- 型号： FQP1N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP1N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP1N50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP1N50封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP1N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP1N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP1N50 是安森美（ON Semiconductor）出品的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要参数为：耐压500V、连续漏极电流1.2A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值13Ω（Vgs=10V），采用TO-220封装。其高耐压、低电流、中等导通电阻的特性，决定了其典型应用场景集中在小功率、高电压、低频开关领域。 常见应用包括： ✅ 离线式AC-DC辅助电源：如开关电源（SMPS）中的待机电路、VCC偏置绕组整流后的初级侧高压侧开关或反馈控制回路中的高压侧驱动开关； ✅ LED驱动电路：用于隔离型LED驱动器中控制高压侧开关或恒流调节的初级侧开关； ✅ 家电与工业控制中的继电器/电磁阀替代：在微控制器（如MCU）IO口驱动能力有限时，作为高压侧电子开关控制≤500V的感性负载（需配续流二极管与RC吸收）； ✅ 高压信号切换与电平转换：在仪表、电源监控等系统中实现高压逻辑信号的隔离控制； ✅ 逆变器与电机驱动中的辅助功能电路：如高压母线检测、预充电控制等非主功率路径环节。 ⚠️ 注意：因其ID较小（仅1.2A）、Rds(on)较高，不适用于大电流主功率开关（如主逆变桥、大功率DC-DC主开关），也不推荐用于高频（>100kHz）硬开关场景，易因开关损耗过大导致温升过高。实际使用需确保充分散热（TO-220需配散热片），并合理设计栅极驱动（避免米勒效应误导通）。 综上，FQP1N50定位为经济型高压小电流开关器件，适合对成本敏感、功率要求不高但需500V耐压的嵌入式控制与辅助电源场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP1N50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 700mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQP1N50 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商