Datasheet下载- 型号： FQD3N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD3N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD3N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其主要参数包括：耐压600V、连续漏极电流（ID）3A（Tc=25℃）、典型导通电阻（RDS(on)）约3.5Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 该器件典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、家电待机电源中的主开关管； ✅ 离线式反激（Flyback）与降压（Buck）转换器：适用于输入电压高达265V AC的通用输入设计； ✅ 电机控制：用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动级，尤其在风扇、水泵、电动工具等对成本和尺寸敏感的场合； ✅ LED照明系统：作为恒流驱动电路中的PWM调光开关或初级侧开关； ✅ 工业控制与电源模块：如PLC电源、继电器驱动、隔离式DC-DC模块中的高压侧开关。 其TO-252封装便于自动化贴片、散热性能优于SOT-23，同时兼顾高电压隔离能力与可靠性，适合中低功率、高能效、空间受限的消费类及工业类应用。需注意设计时合理配置栅极驱动（推荐VGS=10–12V以确保充分导通）并加强PCB散热设计，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3N60TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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