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- 型号： FQD3N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3N30TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD3N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD3N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD3N30TM 是 Fairchild（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有300V耐压、典型导通电阻Rds(on) ≈ 3.5Ω（Vgs=10V）、连续漏极电流ID=2.5A（Tc=25℃）。其应用场景主要包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源及DC-DC转换器中的初级侧高压开关或次级同步整流控制； 2. 电机控制：用于小功率直流电机（如风扇、小型泵、办公设备）的PWM调速与启停控制； 3. 负载开关与电源管理：在嵌入式系统中作为板级电源通断控制器件，实现低功耗待机管理； 4. 照明电子：驱动LED灯串或作为镇流器/驱动电路中的高频开关元件； 5. 工业控制模块：在PLC输出模块、继电器替代电路及传感器接口中承担隔离驱动功能。 该器件具备快速开关特性（tr/tf约20ns/30ns）、内置ESD保护及雪崩耐量（EAS=160mJ），适合中等电压、中低电流的通用功率开关应用。需注意散热设计（推荐PCB铜箔散热），并确保栅极驱动电压稳定（推荐Vgs=10V以充分导通）。不适用于大电流连续导通或高频谐振（>500kHz）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD3N30TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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