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- 型号： FQD1N50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N50TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1N50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1N50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N50TF 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型MOSFET，额定电压500V、连续漏极电流约0.3A（Tc=25℃），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其低栅极电荷与快速开关特性，适用于中小功率、高电压、低电流的开关场景。 典型应用场景包括： ✅ LED驱动电源：在隔离式反激（Flyback）或降压（Buck）LED恒流驱动电路中，作为主开关管，驱动小功率LED模组（如景观灯、指示灯电源）。 ✅ 辅助电源/待机电源（Standby PSU）：用于家电、工业设备的待机电路中，为控制电路提供5V/3.3V低压供电，兼顾效率与成本。 ✅ 小型开关电源适配器：适用于≤5W输出的充电器或AC-DC模块，满足能效标准（如DoE VI级）对轻载效率的要求。 ✅ 继电器/电磁阀驱动：作为逻辑电平兼容的高压侧开关，驱动感性负载（需配合续流二极管）。 ✅ 电池管理与保护电路：在高压锂电池组（如48V系统）的充放电保护板中，用作过压/过流保护的高压检测开关元件（常与专用保护IC配合）。 注意：因ID较小（0.3A），不适用于大电流主功率变换；其RDS(on)典型值达7.5Ω（VGS=10V），导通损耗较高，故更适配间歇工作或轻载场景。设计时需关注PCB散热及栅极驱动稳定性（推荐VGS≥10V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1N50TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 550mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Tc） |
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