Datasheet下载- 型号： FQB5N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N30TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N30TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有300V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)为1.2Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷，适合中高电压、中等功率的开关应用。 其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关； - 电机控制：用于小型直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或半桥驱动； - 照明电子：高压LED恒流驱动电路中的PWM调光开关； - 工业控制：PLC输出模块、继电器替代固态开关、电磁阀/加热器的功率控制； - 消费电子：大功率充电器、无线充电发射端的功率开关级。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated），支持可靠硬开关；D²PAK封装提供优异热性能，便于散热设计。需注意在实际应用中合理设计栅极驱动（避免振荡）、配置RC缓冲电路（抑制电压尖峰），并确保PCB布局优化以降低寄生电感。 综上，FQB5N30TM适用于对成本、效率与可靠性有综合要求的300V级中功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N30TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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