Datasheet下载- 型号： FQB5N15TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N15TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N15TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N15TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N15TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N15TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N15TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有150V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)低至0.8Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）等拓扑中作为功率开关，适用于工业控制、通信设备电源模块； ✅ 电机控制：用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速电路（如风扇、小型泵、电动工具控制板）； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控主板中实现电源域隔离、上电时序控制或过流保护功能； ✅ 照明电子：在高压LED恒流驱动电路中作调光开关或初级侧开关。 该器件内置ESD保护与雪崩额定能力（UIS），适合中等功率、高可靠性要求的工业及消费类应用。需注意合理设计驱动电路（确保Vgs≥10V以充分导通）、PCB散热（建议大面积铜箔+过孔散热）及栅极驱动抗干扰措施，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N15TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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