Datasheet下载- 型号： FQB4N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB4N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB4N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB4N20TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要参数为：200V耐压、4A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)约3.5Ω（Vgs=10V），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备良好的热性能与可靠性。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、LED驱动电源及PC/工业电源的次级侧同步整流或初级侧开关电路（中低功率段）； 2. DC-DC转换器：适用于Buck、Boost等拓扑中的功率开关元件，尤其在12–48V输入、数十瓦输出的工业或通信电源模块中； 3. 电机控制：可用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元，实现高效PWM调速； 4. LED照明驱动：作为恒流开关管，配合控制器实现隔离/非隔离式LED恒流驱动； 5. 电池管理系统（BMS）与负载开关：用于电池充放电保护回路中的过流/短路切断，或作为智能负载开关控制供电通断。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），具备一定抗脉冲过压能力，适合对可靠性要求较高的工业及消费类电子应用。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（建议敷铜散热）及布局以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB4N20TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FQB4N20TMDKR |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
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