Datasheet下载- 型号： FQB32N20CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB32N20CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB32N20CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB32N20CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB32N20CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB32N20CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB32N20CTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有200V耐压、32A连续漏极电流（Tc=25°C）、典型导通电阻Rds(on)低至0.065Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：在工业/通信设备的降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑中承担高频功率开关功能； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类负载的H桥或半桥驱动电路； ✅ 逆变器与UPS系统：作为DC/AC变换环节的功率开关器件，支持高频高效能量转换； ✅ LED照明与智能家电：用于调光控制、电源管理模块，兼顾效率与EMI性能。 该器件内置体二极管、具备雪崩额定能力（UIS），提升了系统鲁棒性；D²PAK封装利于散热，适合中高功率密度设计。需注意合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、布局布线及散热措施（如敷铜面积≥4 cm²），以确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB32N20CTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
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