【FQB22P10TM_F085/规格参数】厂家_FQB22P10TM_F085中文资料_价格

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型号： FQB22P10TM_F085
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FQB22P10TM_F085产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 100V 22A D2PAKMOSFET P-Chan, -100V, -22A 0.125HM@VGS=-10V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	22 A
Id-连续漏极电流	22 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB22P10TM_F085QFET®
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产品型号	FQB22P10TM_F085
Pd-PowerDissipation	3.75 W
Pd-功率耗散	3.75 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	125 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	125 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 100 V
Vds-漏源极击穿电压	- 100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	170 ns
下降时间	110 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	125 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-263-2
其它名称	FQB22P10TM_F085DKR
典型关闭延迟时间	60 ns
功率-最大值	3.75W
包装	Digi-Reel®
单位重量	1.312 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	22A （Tc）
系列	FQB22P10
通道模式	Enhancement
配置	Single