Datasheet下载- 型号： FQB17N08TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB17N08TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB17N08TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB17N08TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB17N08TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB17N08TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB17N08TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有80V漏源电压（VDS）、17A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、低导通电阻（RDS(on)典型值为0.12Ω @ VGS=10V），具备快速开关特性与良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如降压（Buck）转换器、同步整流电路中的主开关管或续流开关，适用于工业电源、通信电源模块； ✅ 电机驱动：用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速控制（如电动工具、家电风扇、泵类设备）； ✅ 负载开关与电源管理：在嵌入式系统中作为高侧/低侧电子开关，实现板级电源的通断控制、热插拔保护或电池供电系统的负载切换； ✅ 照明驱动：LED恒流驱动电路中的开关元件，尤其适用于中功率LED路灯或驱动器； ✅ 逆变器与UPS辅助电路：在小功率离线式逆变器或不间断电源的输入级/辅助电源中承担开关功能。 该器件具备雪崩额定能力（UIS），增强了系统鲁棒性；优化的体二极管特性也利于降低换向损耗。需注意合理设计栅极驱动（推荐VGS = 10V以确保充分导通）及PCB散热（大面积铜箔+过孔散热），以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB17N08TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 8.25A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.5A （Tc） |
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