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- 型号： FQB13N06LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB13N06LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB13N06LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB13N06LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB13N06LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB13N06LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB13N06LTM 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装。其典型参数包括：VDS = 60V、ID（连续）= 13A（TC=25°C）、RDS(on) ≈ 110mΩ（VGS=10V），支持低至4.5V的逻辑电平驱动，具备快速开关特性与内置ESD保护。 该器件广泛应用于中等功率、高效率的DC-DC电源转换场景，如： ✅ 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管； ✅ 电机驱动电路（如直流风扇、小型BLDC驱动器的上/下桥臂）； ✅ 电池供电设备的电源管理模块（如便携式工业设备、电动工具的电池保护与负载开关）； ✅ LED照明驱动电路中的PWM调光开关； ✅ 汽车电子辅助系统（符合AEC-Q101可靠性标准前代版本，常用于非安全关键的车身控制模块，如车窗升降、座椅调节等）。 其逻辑电平兼容性简化了驱动设计，无需专用栅极驱动IC；低导通电阻与优化的体二极管特性有助于降低功耗与温升，适合空间受限且需良好热性能的应用。注意：实际选型需结合散热条件、开关频率及系统可靠性要求进行评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB13N06LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 6.8A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.6A （Tc） |
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