Datasheet下载- 型号： FQAF11N90
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF11N90由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF11N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF11N90封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF11N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF11N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF11N90 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压N沟道增强型功率MOSFET，额定电压900 V、连续漏极电流11 A（Tc=25°C），采用TO-3PF封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值≈0.75 Ω）、快速开关特性和良好的雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括： 🔹 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、PC/服务器ATX电源、LED驱动电源等中高功率离线式变换器的主开关管（如反激、正激、LLC谐振拓扑中的高压侧开关）。 🔹 工业电机控制：用于中小功率变频器、泵/风机驱动、电动工具控制器中的逆变桥上管，尤其适合需高电压隔离与可靠性的场合。 🔹 照明电子镇流器与HID驱动：在高压气体放电灯（如金卤灯、高压钠灯）启动与稳态驱动电路中承担高频开关功能。 🔹 不间断电源（UPS）与太阳能逆变器：在DC-AC升压或逆变级中作为高压开关器件，利用其900 V耐压裕量应对母线电压波动与尖峰。 该器件强调高可靠性与热稳定性，适合工作环境温度较高、对长期运行鲁棒性要求严苛的工业及商用设备。需注意合理设计栅极驱动（避免米勒效应误导通）、散热（TO-3PF需良好散热器）及过压/过流保护。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF11N90 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 960 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Tc） |
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