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  • 型号: FQA9N90
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA9N90由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA9N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQA9N90封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA9N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA9N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA9N90 是安森美(ON Semiconductor)推出的高压N沟道增强型功率MOSFET,主要特点包括:900V耐压、9A连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on)典型值1.3Ω)、TO-3P封装、具备雪崩能量耐受能力(UIS rated)。  

其典型应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、PC电源、工业电源中的主开关管或PFC升压开关;  
✅ 照明电子镇流器与LED驱动电源:在高电压、中等功率LED路灯/工矿灯驱动电路中用作高频开关;  
✅ 电机控制:用于小功率变频器、风机/水泵驱动、电动工具控制器中的高压侧开关;  
✅ 逆变器与UPS系统:在中小功率离网逆变器或后备式UPS的DC-AC转换级中承担高频斩波功能;  
✅ 电焊设备与感应加热:在谐振式焊机或高频加热电源中作为功率开关器件。  

该器件因高耐压和良好热稳定性,特别适合需承受瞬态高压、工作在较高环境温度(如工业场合)的应用,但需注意合理设计栅极驱动(推荐10–15V驱动电压)、充分散热(TO-3P需配散热器)及过压/过流保护。不适用于高频(>500kHz)或超低导通损耗要求严苛的场合(可选更低Rds(on)或SiC器件替代)。
产品参数 图文手册 常见问题
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