图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FMP26-02P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMP26-02P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMP26-02P价格参考。IXYSFMP26-02P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FMP26-02P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMP26-02P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PACMOSFET PHASE LEG MOSFET MOD H-BRIDGE -200V -17A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 17 A, + 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A, - 17 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS FMP26-02PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMP26-02P |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms, 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS i4-PAC™ |
| 其它名称 | FMP2602P |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | i4-Pac™-5 |
| 封装/箱体 | ISOPLUS i4-PAK-5 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A，17A |
| 系列 | FMP26-02P |
| 配置 | Dual Common Drain |
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