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  • 型号: FMG9AT148
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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FMG9AT148产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMG9AT148由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FMG9AT148价格参考以及ROHM SemiconductorFMG9AT148封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FMG9AT148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有FMG9AT148详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMG9AT148 是德州仪器(Texas Instruments)出品的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(即集成基极-发射极和/或基极-集电极偏置电阻),采用SOT-363(SC-70-6)小型封装,含两个NPN晶体管。该器件主要面向低功耗、空间受限的通用开关与信号调理应用。

典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:如MCU GPIO扩展,驱动LED、小功率继电器或蜂鸣器;其预偏置设计简化外围电路,无需外接基极电阻,提升PCB布局效率。  
2. 电池供电设备中的负载开关:用于便携式仪表、IoT传感器节点等,利用其低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和低待机电流,延长电池寿命。  
3. 简易信号反相与缓冲:在音频前置级、传感器信号调理前端中实现非隔离式信号倒相或电流放大。  
4. 冗余/并联开关设计:双通道结构便于构建互锁控制、备份通路或差分输入预处理电路。

需注意:FMG9AT148并非TI主流主力型号,实际量产信息较少,部分资料可能指向原厂已停产或由其他厂商(如ROHM)兼容命名。设计选用时建议核查TI官网最新数据手册及供货状态,并确认其电气参数(如IC=100mA, hFE=180–560)是否满足目标应用需求。替代方案可考虑TI的NSBC114YXV6T1G或PBSS4041T系列。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 50V 50MA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor FMG9AT148-

数据手册

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产品型号

FMG9AT148

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMT5

其它名称

FMG9AT148DKR

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

10 kOhms

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

封装/箱体

SC-74-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

50 mA

频率-跃迁

250MHz

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