Datasheet下载- 型号： FJV4112RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4112RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4112RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4112RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4112RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4112RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4112RMTF（ON Semiconductor）是一款NPN型、预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻（典型R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-723超小型封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：适用于微控制器（如STM32、ESP32）IO口驱动能力不足时，作为缓冲/反相开关，控制LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极； 2. 传感器信号调理电路：在光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器后级，用于信号整形、电平适配或抗干扰增强； 3. 便携式及空间受限设备：得益于SOT-723（尺寸约1.2×0.8×0.5mm）超小封装，广泛用于TWS耳机、智能穿戴、IoT模组等对PCB面积和厚度敏感的终端； 4. 低成本替代传统“三极管+分立电阻”方案：集成偏置电阻简化设计、减少贴片元件数量、提升生产良率与一致性，适用于消费电子批量产品。 注意：该器件不适用于线性放大或大电流（Ic≤100mA）、高电压（VCEO≤50V）场景，典型工作条件为VCC≤30V、IC≤50mA。选型时需结合具体驱动负载与功耗要求进行热评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4112RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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