Datasheet下载- 型号： FJV4109RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4109RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4109RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4109RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4109RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4109RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4109RMTF（ON Semiconductor）是一款PNP型、预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1）和基极-集电极电阻（R2），典型配置为R1=10kΩ、R2=10kΩ。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动中小功率负载（如LED、继电器线圈、小信号MOSFET栅极），简化外围电路，省去外置偏置电阻。 2. 开关应用：在低功耗、中速开关场景中替代普通BJT，如电源使能控制、背光调光、传感器信号调理电路中的有源开关，典型开关频率可达数百kHz。 3. 电流检测/限流保护辅助电路：配合采样电阻实现简易过流检测与关断功能（利用其饱和导通特性）。 4. 便携式及空间受限设备：采用SOT-723超小型封装（尺寸约1.2×0.8×0.5mm），适用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对PCB面积敏感的终端产品。 5. 工业与消费类IoT节点：在电池供电的传感器节点中，凭借较低输入驱动电流（典型IB≈0.3mA即可饱和）和高直流电流增益（hFE≈100–200），提升系统能效。 注意：该器件不适用于线性放大或高频射频场景；最大集电极电流IC=100mA，VCEO=−50V，需确保工作在开关区并留足裕量。设计时应参考ON Semi官方数据手册进行热评估与驱动匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4109RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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