Datasheet下载- 型号： FJV4105RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4105RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4105RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4105RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4105RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4105RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4105RMTF（ON Semiconductor）是一款NPN型数字晶体管（即带内置偏置电阻的预偏置BJT），集成了基极-发射极间电阻（R1）和基极-集电极间反馈电阻（R2），典型配置为R1 = R2 = 10 kΩ。其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平接口与信号转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动中小功率负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），实现TTL/CMOS电平到电流放大级的简化连接，省去外部偏置电阻。 2. LED驱动电路：在消费电子、家电面板、工业指示灯中，直接以3.3V/5V逻辑信号控制LED通断，具备稳定开关特性与良好饱和性能（hFE ≈ 160，IC = 100 mA时）。 3. 开关电源与负载开关：作为低压侧开关，用于DC-DC模块中的使能控制、电源排序或负载启停管理，响应快、功耗低。 4. 传感器信号调理前端：在光电开关、霍尔传感器等弱信号输出后，用作简单电平翻转或电流放大缓冲级。 5. 空间受限的便携设备：采用SOT-723（1.2×0.8×0.5 mm）超小型封装，适用于TWS耳机、可穿戴设备、IoT节点等对PCB面积敏感的应用。 该器件不适用于线性放大或高频射频场景，但凭借集成化设计、高可靠性及AEC-Q101兼容性（部分批次），亦见于汽车电子中的车身控制模块（BCM）非安全相关子功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4105RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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