Datasheet下载- 型号： FJV4101RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4101RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4101RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4101RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4101RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4101RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4101RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ），无需外部偏置电路，可直接由数字信号（如MCU GPIO、逻辑门输出）驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 小信号开关应用：用于控制LED、蜂鸣器、继电器线圈、小型电磁阀等低功率负载（最大集电极电流IC = 100 mA，VCEO = 50 V），适合电池供电的便携设备。 ✅ 逻辑电平转换与接口缓冲：在3.3 V/5 V MCU与不同电压或高阻抗电路间提供隔离与驱动增强，简化PCB设计。 ✅ 传感器信号调理前端：作为简易有源负载或电平移位器，配合光耦、霍尔传感器等弱信号源使用。 ✅ 消费电子与工业控制板：常见于打印机、家电主控板、智能照明模块、IoT终端等对成本、尺寸和可靠性敏感的场景。 该器件采用SOT-23封装（超小型贴片），具备良好ESD防护（HBM > 2 kV）、快速开关特性（tON/tOFF 约数十纳秒）及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），适用于空间受限且需稳健性能的设计。注意：不适用于线性放大或大电流/高功耗场合，亦不可替代MOSFET用于高效电源开关。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP/50V/100mA 4.7K 4.7K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV4101RMTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJV4101RMTF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | FJV4101RMTFDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | FJV4101R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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