Datasheet下载- 型号： FJV3107RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3107RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3107RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3107RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV3107RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV3107RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV3107RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如STM32、ESP32、Arduino）GPIO驱动中小功率负载（LED、继电器线圈、小型蜂鸣器等），无需外接偏置电阻，提升PCB空间利用率与可靠性。 - 信号调理与接口电路：在工业传感器接口、通信模块（如RS-232/485电平转换辅助级）、电源使能（EN）信号缓冲中，实现快速开关（fₜ ≈ 250 MHz）与低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC=10 mA），降低功耗。 - 便携式电子设备：适用于电池供电产品（如智能穿戴、IoT终端），因SOT-23封装体积小、功耗低，且预偏置特性可减少待机漏电流，延长续航。 - 替代传统分立偏置BJT方案：在成本敏感、量产规模大的消费类电子产品中，可简化BOM、降低贴片误差风险，提高生产良率。 注意：该器件不适用于高电压（VCEO = 50 V）、大电流（IC max = 100 mA）或线性放大场景，宜作为数字开关使用。实际应用中需确保输入信号兼容其基极阈值（典型VBE(on)≈0.7 V）并留有足够噪声容限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV3107RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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