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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3106RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3106RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3106RMTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJV3106RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJV3106RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV3106RMTF是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。其主要特点是内置偏置电阻,简化了电路设计,提高了稳定性和可靠性。 该晶体管常用于以下应用场景: 1. 开关电路:由于其内置偏置电阻,FJV3106RMTF非常适合用于逻辑控制的开关电路中,例如在数字电路中驱动LED、继电器或小型电机。 2. 信号放大:适用于低频信号放大应用,如音频前置放大器或传感器信号调理电路。 3. 电源管理:在电源控制电路中作为开关元件,用于负载切换或稳压电路。 4. 汽车电子:因其高可靠性,可用于车载电子系统中的控制与驱动电路。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的信号处理与执行机构驱动。 6. 消费类电子产品:如家用电器、智能控制器等,用于小功率控制与信号转换。 FJV3106RMTF采用小型表面贴装封装(如SOT-563),适用于高密度PCB布局,适合自动化装配,广泛应用于对空间和性能有要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV3106RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |