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产品简介:
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FJPF5200RTU 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款PNP型高电压、中功率双极结型晶体管(BJT),采用TO-220AB封装。其典型参数包括:VCEO = –200 V,IC = –1.5 A,PCM ≈ 25 W(带散热片),hFE(电流增益)为30–120(@ IC = –0.5 A),开关速度适中。 该器件主要面向中高压、中电流的线性与开关应用,典型应用场景包括: - 工业电源与开关电源(SMPS)中的辅助电源或偏置电路:利用其高耐压特性,在反激式或正激式变换器的次级侧驱动、反馈回路或待机电源中提供稳定开关控制; - 继电器/电磁阀驱动电路:驱动感性负载,配合续流二极管实现可靠通断; - 线性稳压器与串联调整管:在低压差或中压输入(如–12 V至–150 V)场景下作为调整元件,适用于对噪声敏感但无需高频切换的模拟系统; - 高压信号电平转换与逆变逻辑接口:在PLC、工业控制板中实现微控制器(3.3 V/5 V)与–100 V以上高压端的电平隔离与驱动; - CRT显示器/老式示波器的阳极高压调节电路(历史应用,仍有维修替换需求)。 需注意:FJPF5200RTU为PNP型,需负电源供电及反向偏置设计;实际使用时须配合适当基极限流电阻与散热措施,避免二次击穿。因其非高频优化器件,不推荐用于>100 kHz的硬开关DC-DC主功率级。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 250V 17A TO-220F |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJPF5200RTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 800mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 55 @ 1A,5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 17A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 30MHz |