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- 型号： FJP5555ATU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJP5555ATU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJP5555ATU价格参考。Fairchild SemiconductorFJP5555ATU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJP5555ATU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJP5555ATU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJP5555ATU 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 NPN 型硅外延平面双极结型晶体管（BJT），采用 TO-220AB 封装，具备高电压、高电流能力（VCEO = 100 V，IC = 5 A，PD = 65 W），适用于中功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）中的功率开关：在中小功率 AC-DC 或 DC-DC 变换器中，驱动变压器或作为主开关管（尤其在反激式拓扑中配合PWM控制器使用）； 2. 电机控制电路：用于直流有刷电机的H桥驱动、风扇/泵类负载的通断控制及PWM调速； 3. 工业控制与继电器驱动：作为固态继电器（SSR）输出级或驱动电磁阀、接触器等感性负载； 4. 音频与信号放大：在低频、中功率音频功放末级（如AB类小功率输出级）或传感器信号调理电路中作电流放大； 5. 电源管理模块：如过流保护电路、电子保险丝、稳压器调整管（需配散热器）等。 该器件具有良好的饱和特性（hFE 典型值 30–120 @ IC=2A）、快速开关响应（ton/toff 约数十纳秒至百纳秒级），且成本较低、可靠性高，广泛应用于消费电子、家电、工业电源及汽车辅助系统（非安全关键部位）等领域。使用时需注意散热设计及基极限流/钳位保护，避免二次击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJP5555ATU |
| 产品型号 | FJP5555ATU |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 14 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 系列 | FJP5555 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 1050 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
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