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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FJNS7565BU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS7565BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS7565BU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS7565BU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS7565BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS7565BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS7565BU 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-323（SC-70）超小型表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值达 300）、低饱和压降（VCE(sat) 约 0.15 V @ IC = 50 mA）和快速开关特性（fT ≈ 250 MHz）。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的信号开关与放大：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于LED驱动、蜂鸣器控制、传感器信号调理等低功耗开关应用； 2. 电源管理电路：作为负载开关或使能控制管，用于LDO使能、DC-DC转换器的使能/反馈路径、电池供电系统的电源通断控制； 3. 逻辑电平转换与接口驱动：在MCU GPIO驱动能力不足时，用作电平移位或电流增强缓冲级，驱动继电器、小功率MOSFET栅极或光电耦合器输入端； 4. 消费类电子中的模拟前端：如红外接收模块的前置放大、音频信号的简单预放大（非Hi-Fi级）等对成本与尺寸敏感的中低频应用。 该器件不适用于大功率放大、高频射频（RF）主通路或高电压（>50 V）场景。其SOT-323封装适合高密度PCB布局，但需注意散热限制（最大集电极电流IC ≤ 150 mA，功耗PD ≤ 200 mW）。实际选型中建议结合具体工作条件（温度、负载、开关频率）进行热与可靠性验证。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 10V 5A TO-92MINI |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS7565BU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 60mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 450 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | - |
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