Datasheet下载- 型号： FJNS4213RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4213RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4213RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4213RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4213RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4213RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4213RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到开关控制的直接适配； 2. 低功耗开关应用：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和高直流电流增益（hFE ≥ 100），适用于便携设备中的LED指示灯驱动、蜂鸣器控制、传感器使能开关等； 3. 输入保护与信号调理：集成的上拉/下拉电阻（典型R1=10kΩ, R2=10kΩ）可提供确定性偏置，避免悬空输入，提升抗干扰能力，适合工业I/O模块、家电控制板等对可靠性要求较高的场合； 4. 空间受限设计：采用超小型SOT-323（SC-70）封装（尺寸约2.0×2.1×0.9mm），适用于高密度PCB布局，如智能穿戴设备、无线传感器节点等。 该器件工作温度范围为−55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和ESD防护能力，无需额外偏置电阻，可降低BOM成本与贴片工位，广泛应用于消费电子、汽车电子（非安全相关模块）、工业自动化及物联网终端设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4213RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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