Datasheet下载- 型号： FJNS4209RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4209RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4209RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4209RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4209RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4209RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4209RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到负载的可靠开关控制。 - 低功耗开关应用：得益于低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和高直流电流增益（hFE ≈ 160），适用于便携设备、传感器模块及电池供电系统中的高效通断控制。 - 接口保护与信号调理：内置偏置电阻可抑制噪声干扰，避免因悬空基极导致的误触发，提升系统抗干扰能力，适合工业I/O模块、家电控制板等对可靠性要求较高的场景。 - 空间受限设计：采用SOT-523超小型封装（尺寸约1.6×1.6×0.8mm），适用于高密度PCB布局，如智能穿戴设备、TWS耳机充电仓、小型物联网节点等。 注意：该器件不适用于线性放大或高频射频应用，额定集电极电流IC最大为100mA，建议工作在开关状态，并注意功耗与散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4209RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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