Datasheet下载- 型号： FJNS3215RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3215RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3215RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3215RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3215RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3215RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3215RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流TTL/CMOS信号（如3.3V/5V）可靠驱动至更高负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），避免MCU引脚过载。 - 开关控制电路：凭借快速开关特性（tₚd ≈ 2.5ns，tᵣ ≈ 3.5ns）及低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.15V @ IC=10mA），适用于中低速、中小电流（IC≤100mA）的板级开关应用，如电源使能（EN）控制、状态指示灯驱动、传感器信号调理中的有源开关。 - 节省PCB空间与BOM成本：集成偏置电阻替代传统“晶体管+2颗外置电阻”方案，减少贴片元件数量、焊接点及布局面积，提升生产良率，适合消费电子、物联网终端、工业控制模块等对尺寸和成本敏感的场景。 - 增强系统可靠性：内部匹配电阻经激光修调，温度漂移一致性优于分立方案，降低因电阻容差或热失配导致的开关阈值漂移风险。 注意：不适用于线性放大、高精度模拟或大电流（>150mA）连续导通场景。使用时需确保输入电压不超过VEB额定值（−6V），并合理设计负载与散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3215RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 33 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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