图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN598JCTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN598JCTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN598JCTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN598JCTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN598JCTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN598JCTA 是安森美(onsemi)生产的 N 沟道结型场效应晶体管(JFET),采用 SOT-23 表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 低噪声前置放大器:JFET 输入阻抗高(>10⁹ Ω)、输入电容小、噪声低,适用于麦克风前置放大、传感器信号调理(如压电、热电偶等微弱信号放大)。 2. 模拟开关与多路复用器:利用其电压控制导通特性,可作为低失真、低电荷注入的模拟开关,常用于音频路由、数据采集系统中的信号选通。 3. 恒流源/电流镜电路:JFET 具有良好的跨导线性与温度稳定性,适合构建精密恒流源,用于LED偏置、运算放大器偏置电流设置或电流基准。 4. 射频/中频小信号放大:在VHF以下频段(如AM/FM接收机前端、无线遥控模块),可用作低增益、高输入阻抗的RF放大级或混频器有源器件。 5. 仪器仪表与工业控制:因其高可靠性、宽工作温度范围(–55°C 至 +150°C)及无需栅极偏置电阻的自偏置特性,广泛应用于便携式测试设备、过程控制传感器接口等对功耗和稳定性要求较高的场合。 注意:FJN598JCTA 非通用功率器件,不适用于大电流开关或功率放大;设计时需关注其最大漏源电压(Vₚₛₛ = –30 V)、连续漏极电流(I_D = 50 mA)及结温限制,确保在安全工作区(SOA)内运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 20V 1MA 150MW TO92 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN598JCTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 600mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 100µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 20V |
| 电阻-RDS(开) | - |