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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FJN598JBBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN598JBBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN598JBBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN598JBBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN598JBBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN598JBBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN598JBBU 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），属于低噪声、高输入阻抗的通用型器件。其典型应用场景包括： 1. 音频前置放大电路：凭借高输入阻抗（>10⁹ Ω）和低噪声特性，常用于麦克风前置放大器、吉他拾音器缓冲级或高保真音频信号调理，可有效减少信号源负载并保持信噪比。 2. 精密模拟开关与电压控制衰减器（VCA）：JFET 的电压控制电阻特性使其适用于模拟信号通断、程控增益调节及自动电平控制（ALC）电路。 3. 传感器接口电路：适用于高阻抗传感器（如压电传感器、光电二极管跨阻放大前端）的缓冲级，避免信号衰减。 4. 低功耗便携设备：该器件静态电流小（IDSS 典型值约 1–3 mA）、无需偏置电阻即可自偏置，适合电池供电的仪表、医疗检测设备等对功耗敏感的应用。 需注意：FJN598JBBU 为 TO-92 封装，适用于中低频（fₜ ≈ 100 MHz）、中小电流（ID ≤ 20 mA）场景，不适用于高频射频或大功率开关。实际设计中应参考其数据手册中的 VGS(off)（约 –0.5 至 –1.5 V）、rds(on) 及温度稳定性参数进行合理偏置与热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 20V 1MA 150MW TO92 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN598JBBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 600mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 100µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 20V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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