Datasheet下载- 型号： FJN4313RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4313RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4313RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4313RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4313RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4313RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4313RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器或小功率MOSFET的开关控制，实现TTL/CMOS电平到负载的可靠驱动。 2. LED驱动电路：因具备内置偏置电阻（R1=10kΩ，R2=10kΩ），可直接由3.3V或5V逻辑信号控制，无需外接基极电阻，节省PCB面积并提升可靠性，适用于指示灯、背光或段式LED驱动。 3. 信号开关与负载切换：适用于低电流（IC最大约100mA）、中低频（fT≈250MHz）开关场景，如电源使能控制、传感器信号选通、蜂鸣器驱动等。 4. 替代传统分立BJT+电阻方案：在空间受限或对BOM简化要求高的消费电子、家电、工业控制板中，显著降低贴片元件数量与装配成本。 该器件采用SOT-23封装，支持无铅回流焊，具有良好的热稳定性和一致性，但不适用于大电流、高功率或高频放大场合。设计时需注意功耗限制（PD≤200mW）及饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V@IC=10mA），确保工作在线性开关区而非放大区。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4313RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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