图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3310RBU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3310RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3310RBU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN3310RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN3310RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3310RBU 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络,简化外围电路设计。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:常用于微控制器(如STM32、PIC)GPIO引脚驱动中小功率负载(LED、继电器线圈、小型蜂鸣器),利用其内置偏置电阻实现直接高/低电平控制,无需外接基极限流电阻; 2. 开关电源中的辅助电路:在AC-DC或DC-DC电源中用作待机控制、使能信号切换或光耦次级侧的信号放大与隔离驱动; 3. 工业I/O模块与PLC输入缓冲:作为输入信号调理器件,将外部24V/12V工业信号安全转换为MCU可识别的5V/3.3V逻辑电平; 4. 消费电子中的简易负载开关:如打印机、扫描仪、家电控制板中驱动指示灯、小功率电磁阀或风扇启停; 5. 替代传统分立偏置方案:在空间受限的PCB设计中,以单颗器件替代“BJT+2个电阻”方案,提升可靠性并降低BOM成本与贴装复杂度。 该器件具备SOT-23封装、高直流电流增益(hFE典型值160)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 0.15V @ IC=10mA),适用于DC≤200mA、VCEO=50V以内的中低速开关应用(fT≈200MHz,但推荐工作频率<1MHz)。不适用于高频放大或大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3310RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |