Datasheet下载- 型号： FJN3308RTA
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3308RTA由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3308RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3308RTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3308RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3308RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3308RTA 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ），无需外部偏置电路即可直接由数字信号（如MCU GPIO、逻辑门输出）驱动。其主要应用场景包括： • 小信号开关应用：广泛用于消费电子、家电及工业控制中的LED驱动、继电器/蜂鸣器控制、信号路由等低功耗开关场景，典型工作电流≤100 mA（IC），VCEO = 50 V，满足一般低压逻辑电平兼容需求（如3.3 V/5 V系统）。 • 数字接口电平转换与缓冲：可作为简易反相器或电平移位器，实现不同电压域间的信号隔离与驱动增强，适用于I²C、UART等总线的上拉/驱动辅助。 • 替代传统分立偏置方案：简化PCB设计，减少元件数量（节省2个电阻+1个晶体管），提升生产良率与可靠性，特别适合空间受限的紧凑型设计（SOT-23封装）。 • 低成本嵌入式系统：在对成本和BOM精简要求高的场合（如遥控器、传感器节点、电源管理模块），作为基础开关器件替代MOSFET（尤其在无超低导通压降要求时）。 注意：该器件不适用于高频率（fT ≈ 250 MHz，但开关速度受RC偏置限制）、大电流或线性放大场景；需避免在接近极限参数（如Tj > 150°C）下长期工作。建议参考ON Semiconductor官方数据手册进行热设计与驱动能力校验。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3308RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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