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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3301RBU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3301RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3301RBU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN3301RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN3301RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3301RBU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT)。该晶体管常用于需要高频响应和低噪声性能的模拟电路中,尤其适用于射频(RF)和小信号放大等场景。 典型应用场景包括: 1. 射频前端电路:作为低噪声放大器(LNA)使用于通信设备中,如无线基站、射频接收模块等; 2. 模拟信号放大:在音频设备、传感器信号调理电路中作为前置放大器; 3. 开关电路:在需要高速开关响应的场合,如电源管理、逻辑接口电路中; 4. 射频混频器与调制器:利用其高频特性实现信号的混频与调制解调; 5. 工业控制与测试仪器:用于精密测量设备、信号发生器等。 该晶体管具有良好的高频性能和稳定性,适合在高频、低功率环境下工作,是许多射频和模拟电路设计中的常用元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FJN3301RBU |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,5V |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 250MHz |