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  • 型号: FDZ2552P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ2552P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ2552P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ2552P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDZ2552P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ2552P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDZ2552P 是 Fairchild Semiconductor(现属ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用微型双芯片DFN2020封装(2.0×2.0 mm),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 8.5 nC)和高开关效率等特点。

其典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备的负载开关:如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的电源管理模块,用于控制外设供电通断,实现低功耗待机与快速响应;  
✅ 电池保护电路:在单节锂离子/聚合物电池系统中,作为充放电路径的反向阻断开关(配合充电IC),防止过放、反向电流及电池倒灌;  
✅ DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中,作为同步整流管提升转换效率(尤其适用于中低电流、高密度设计);  
✅ H桥驱动的上臂开关(需搭配驱动设计):适用于小型电机驱动(如微型风扇、振动马达)或LED调光等低压(≤20 V输入)、中小电流(连续ID ≤ 4.5 A)场合;  
✅ 热插拔(Hot-swap)与限流保护电路:利用其快速开关特性和可控的导通/关断行为,实现板级电源的受控上电与浪涌抑制。

该器件额定电压为−20 V,最大连续漏极电流为−4.5 A(TC=25°C),具备ESD防护能力,适合空间受限、强调能效与可靠性的消费类及工业嵌入式应用。需注意其P沟道特性——逻辑低电平有效关断,常用于高边开关配置,驱动简单但需匹配合适的栅极电压摆幅(通常0 V / −4.5 V)。
产品参数 图文手册 常见问题
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