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- 型号： FDZ201N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ201N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ201N价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ201N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDZ201N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDZ201N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDZ201N 是安森美（onsemi）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 200 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.7 V至−1.3 V）及小尺寸优势。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速启停； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/锂聚合物电池系统中，作为充电/放电路径的反向阻断开关（如防倒灌），配合保护IC实现过充、过放、短路保护； 3. 逻辑电平转换与信号切换：适用于3.3 V或更低电压系统中，驱动小电流负载（如LED指示灯、传感器使能信号），支持直接由MCU GPIO控制（无需电平移位）； 4. DC-DC转换器辅助电路：在同步降压或升降压拓扑中，用作高边/低边辅助开关（非主功率开关），或用于使能/软启动控制； 5. 空间受限的嵌入式系统：SOT-23封装便于高密度PCB布局，常见于IoT模块、无线传感节点等对尺寸和功耗敏感的应用。 需注意：FDZ201N额定VDS = −20 V，ID = −1.9 A（连续），不适用于高压或大电流主功率场景，设计时应确保栅极驱动兼容性及热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 9A BGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDZ201N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1127pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 12-BGA （2x2.5） |
| 其它名称 | FDZ201NDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 12-WFBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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